شرکت IBM موفق به ساخت ترانزیستورهایی شده است که می تواند تمامی رقبای خود از جمله ترانزیستورهای سیلیکونی را از دور رقابت خارج سازد.

این ترانزیستور جدید از صفحات کربنی با ضخامت یک اتم تشکیل شده است که می تواند ۱۰۰ میلیارد بار در ثانیه خاموش یا روشن شود و سرعت ۱۰۰ گیگاهرتزی آن ۱۰ بار سریعتر از هر ترانزیستور مشابه سیلیکونی است.

از آنجا که خلق ترانزیستورها در راستای تولیدات کنونی تجهیزات نیمه رسانا قرار دارد متخصصان انتظار دارند طی چند سال آینده این ترانزیستورها در ابزارهای قدرتمند تصویربرداری، راداری و ارتباطاتی مورد استفاده قرار گیرند. در عین حال ساخت پردازشگرهای گرافنی رایانه ای تا یک دهه دیگر زمان نیاز خواهد داشت.

گرافن یکی از ممکن ترین جایگزینها برای سیلیکون در پردازشگرهای رایانه ای به شمار می رود زیرا سرعت حرکت الکترونها از میان گرافن بسیار سریعتر است اما در گذشته فرایند ساخت ترانزیستورهای گرافنی بسیار طولانی و پیچیده بوده است.

در مقابل IBM ترانزیستورهای گرافنی خود را بر روی صفحه کاربید سیلیکون به وجود آورده و سپس لایه ای عایق را به منظور جلوگیری از شکل گیری ریزمدارها در ترانزیستور به صفحه افزوده است. فرایندی که اتمام آن نسبت به گذشته زمان بسیار کمتری نیاز خواهد داشت.